IC Package (Ic的封装形式)
.QFN –Quad Flat No-Lead Package四方无引脚扁平封装
.SOIC—Small Qutine IC小外形IC封装
.TSSOP—Thin Small Shrink Qutline Package薄小外形封装
.QFP—Quad Flat Package四方引脚扁平式封装
.BGA—Ball Grid Array Package球栅阵列式封装
.CSP—Chip Scale Package芯片尺寸级封装
IC封装原材料
1、晶圆（Wafer）
2、引线框架（Lead Frame）
提供电路连接和DIE的固定作用；
主要材料为铜，会在上面进行镀银、NIPDAU等材料；
L/F的制程有Etch和Stamp两种；
易氧化，存放于氮气柜中，湿度小于40%RH；
除了BGA和CSP外，其它Package都会采用Lead Frame,BGA采用的是Substrate;
3、焊接金线（Gold Wire）焊接金线
实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接；
金线采用的是99.99%的高纯度金；
同时，出于成本考虑，目前采用铜线和铝线工艺的，优点是成本降低，同时工艺难度加大，良率降低；
线径决定可传导的电流，0.8mil, 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils
4、塑封料/环氧树脂（Mold Compound）
主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱模剂，染色剂，阻燃剂等）；
主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来，提供物理和电气保护，防止外界干扰；
存放条件：零下5℃保存，常温下需回温24小时；
5、银浆（Epoxy）
成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）;
有三个作用：将Die固定在Die Pad上，散热作用，导电作用；
-505℃以下存放，使用之前回温24小时。